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退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响

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宋银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧航, 周丽宏. 2007: 退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响, 物理学报, 56(1): 551-555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.090
引用本文: 宋银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧航, 周丽宏. 2007: 退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响, 物理学报, 56(1): 551-555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.090
shu
Song Yin, Wang Zhi-Guang, Wei Kong-Fang, Zhang Chong-Hong, Liu Chun-Bao, Zang Hang, Zhou Li-Hong. 2007: Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation, Acta Physica Sinica, 56(1): 551-555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.090
Citation: Song Yin, Wang Zhi-Guang, Wei Kong-Fang, Zhang Chong-Hong, Liu Chun-Bao, Zang Hang, Zhou Li-Hong. 2007: Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation, Acta Physica Sinica, 56(1): 551-555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.090
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退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation

  • 摘要: 利用高能离子研究了110 keV的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试结果可以清楚地看到在375 nm,390 nm,413 nm和450 nm出现了强烈的发光峰.经过600 K退火2 h后测试结果显示,390 nm发光峰增强剧烈,而别的发光峰显示不明显.在900 K退火条件下,390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰,到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失,而510 nm的发光峰相对增强.从辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460-510 cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏.1000-1300cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动.退火后的FTIR谱变化不大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-01-30

退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响

  • 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000

摘要: 利用高能离子研究了110 keV的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试结果可以清楚地看到在375 nm,390 nm,413 nm和450 nm出现了强烈的发光峰.经过600 K退火2 h后测试结果显示,390 nm发光峰增强剧烈,而别的发光峰显示不明显.在900 K退火条件下,390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰,到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失,而510 nm的发光峰相对增强.从辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460-510 cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏.1000-1300cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动.退火后的FTIR谱变化不大.

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