CuI晶体缺陷态电子结构及其施主-受主对发光机理的研究

刘海兰; 顾牡; 张睿; 徐荣昆; 黎光武; 欧阳晓平

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.065

物理学报

CuI晶体缺陷态电子结构及其施主-受主对发光机理的研究

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刘海兰, 顾牡, 张睿, 徐荣昆, 黎光武, 欧阳晓平. 2006: CuI晶体缺陷态电子结构及其施主-受主对发光机理的研究, 物理学报, 55(12): 6574-6579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.065

引用本文:

Liu Hai-Lan, Gu Mu, Zhang Rui, Xu Rong-Kun, Li Guang-Wu, Ouyang Xiao-Ping. 2006: Electronic structure of intrinsic defects and mechanism of donor-acceptor pair luminescence in CuI crystal, Acta Physica Sinica, 55(12): 6574-6579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.065

Citation:

Liu Hai-Lan, Gu Mu, Zhang Rui, Xu Rong-Kun, Li Guang-Wu, Ouyang Xiao-Ping. 2006: Electronic structure of intrinsic defects and mechanism of donor-acceptor pair luminescence in CuI crystal, Acta Physica Sinica, 55(12): 6574-6579. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.065

CuI晶体缺陷态电子结构及其施主-受主对发光机理的研究

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900
中国原子能科学研究院,北京,102413
西北核技术研究所,西安,710024

Electronic structure of intrinsic defects and mechanism of donor-acceptor pair luminescence in CuI crystal

摘要: 运用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法,模拟计算了具有γ相CuI晶体的本征缺陷态电子结构.结果表明, 四面体间隙Cu和Cu空位最有可能在禁带中引入浅施主和受主能级,从而形成施主-受主对(DAP),产生420-430 nm的DAP复合发光.
- γ-CuI晶体 /
- 密度泛函理论 /
- 电子结构 /
- 发光机理