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FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

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王文静, 袁慧敏, 姜山, 萧淑琴, 颜世申. 2006: FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应, 物理学报, 55(11): 6108-6112. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.089
引用本文: 王文静, 袁慧敏, 姜山, 萧淑琴, 颜世申. 2006: FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应, 物理学报, 55(11): 6108-6112. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.089
shu
Wang Wen-Jing, Yuan Hui-Min, Jiang Shan, Xiao Shu-Qin, Yan Shi-Shen. 2006: Transverse giant magneto-impedance effect in FeCuCrVSiB single layered and multilayered films, Acta Physica Sinica, 55(11): 6108-6112. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.089
Citation: Wang Wen-Jing, Yuan Hui-Min, Jiang Shan, Xiao Shu-Qin, Yan Shi-Shen. 2006: Transverse giant magneto-impedance effect in FeCuCrVSiB single layered and multilayered films, Acta Physica Sinica, 55(11): 6108-6112. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.089
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FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

Transverse giant magneto-impedance effect in FeCuCrVSiB single layered and multilayered films

  • 摘要: 用射频溅射法制备了Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9单层膜和结构为(F/S)3/M/(F/S)3的多层膜,在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能,降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后,发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应,单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%,多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化,发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率,和较大的磁阻抗变化率,而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场.
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出版历程

FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

摘要: 用射频溅射法制备了Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9单层膜和结构为(F/S)3/M/(F/S)3的多层膜,在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能,降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后,发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应,单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%,多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化,发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率,和较大的磁阻抗变化率,而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场.

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