取向和非取向In2O<em>3</em>纳米线的场发射研究

胡利勤; 林志贤; 郭太良; 姚亮; 王晶晶; 杨春建; 张永爱; 郑可炉

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.094

物理学报

取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

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胡利勤, 林志贤, 郭太良, 姚亮, 王晶晶, 杨春建, 张永爱, 郑可炉. 2006: 取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究, 物理学报, 55(11): 6136-6140. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.094

引用本文:

Hu Li-Qin, Lin Zhi-Xian, Guo Tai-Liang, Yao Liang, Wang Jing-Jing, Yang Chun-Jian, Zhang Yong-Ai, Zheng Ke-Lu. 2006: Field-emission properties of aligned and unaligned In2O3 nanowires, Acta Physica Sinica, 55(11): 6136-6140. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.094

Citation:

Hu Li-Qin, Lin Zhi-Xian, Guo Tai-Liang, Yao Liang, Wang Jing-Jing, Yang Chun-Jian, Zhang Yong-Ai, Zheng Ke-Lu. 2006: Field-emission properties of aligned and unaligned In2O3 nanowires, Acta Physica Sinica, 55(11): 6136-6140. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.094

取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002

Field-emission properties of aligned and unaligned In2O3 nanowires

摘要: 用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线,并研究了In2O3纳米线的场发射性质,发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线,这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故.
- 场发射 /
- 纳米线 /
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- 非取向