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HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

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刘国汉, 丁毅, 朱秀红, 陈光华, 贺德衍. 2006: HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究, 物理学报, 55(11): 6147-6151. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.096
引用本文: 刘国汉, 丁毅, 朱秀红, 陈光华, 贺德衍. 2006: HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究, 物理学报, 55(11): 6147-6151. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.096
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Liu Guo-Han, Ding Yi, Zhu Xiu-Hong, Chen Guang-Hua, He De-Yan. 2006: Preparation and characterization of hydrogenated microcrystalline silicon films by HW-MWECR-CVD, Acta Physica Sinica, 55(11): 6147-6151. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.096
Citation: Liu Guo-Han, Ding Yi, Zhu Xiu-Hong, Chen Guang-Hua, He De-Yan. 2006: Preparation and characterization of hydrogenated microcrystalline silicon films by HW-MWECR-CVD, Acta Physica Sinica, 55(11): 6147-6151. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.096
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HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;甘肃省科学院传感技术研究所,兰州,730000

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

  • 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

Preparation and characterization of hydrogenated microcrystalline silicon films by HW-MWECR-CVD

  • 摘要: 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%-50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;甘肃省科学院传感技术研究所,兰州,730000
  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
  • 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022
  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

摘要: 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%-50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.

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