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同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

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王长顺, 潘煦, Urisu Tsuneo. 2006: 同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究, 物理学报, 55(11): 6163-6167. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.099
引用本文: 王长顺, 潘煦, Urisu Tsuneo. 2006: 同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究, 物理学报, 55(11): 6163-6167. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.099
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Wang Chang-Shun, Pan Xu, Urisu Tsuneo. 2006: Synchrotron radiation stimulated etching of SiO2 thin films, Acta Physica Sinica, 55(11): 6163-6167. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.099
Citation: Wang Chang-Shun, Pan Xu, Urisu Tsuneo. 2006: Synchrotron radiation stimulated etching of SiO2 thin films, Acta Physica Sinica, 55(11): 6163-6167. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.099
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同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

  • 上海交通大学物理系,上海,200240

  • Institute for Molecular Science,Okazaki,444-8585,Japan

Synchrotron radiation stimulated etching of SiO2 thin films

  • 摘要: 利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

  • 上海交通大学物理系,上海,200240
  • Institute for Molecular Science,Okazaki,444-8585,Japan

摘要: 利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.

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