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考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

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李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季峰. 2006: 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型, 物理学报, 55(7): 3670-3676. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.078
引用本文: 李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季峰. 2006: 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型, 物理学报, 55(7): 3670-3676. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.078
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Li Yan-Ping, Xu Jing-Ping, Chen Wei-Bing, Xu Sheng-Guo, Ji Feng. 2006: 2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects, Acta Physica Sinica, 55(7): 3670-3676. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.078
Citation: Li Yan-Ping, Xu Jing-Ping, Chen Wei-Bing, Xu Sheng-Guo, Ji Feng. 2006: 2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects, Acta Physica Sinica, 55(7): 3670-3676. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.078
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考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

  • 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects

  • 摘要: 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-07-30

考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

  • 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

摘要: 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.

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