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InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

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李东临, 曾一平. 2006: InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析, 物理学报, 55(7): 3677-3682. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.079
引用本文: 李东临, 曾一平. 2006: InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析, 物理学报, 55(7): 3677-3682. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.079
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Li Dong-Lin, Zeng Yi-Ping. 2006: Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors, Acta Physica Sinica, 55(7): 3677-3682. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.079
Citation: Li Dong-Lin, Zeng Yi-Ping. 2006: Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors, Acta Physica Sinica, 55(7): 3677-3682. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.079
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InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

  • 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083

Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors

  • 摘要: 利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-07-30

InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

  • 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083

摘要: 利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.

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