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FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

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张辉, 王宝义, 张仁刚, 张哲, 钱海杰, 苏润, 奎热西, 魏龙. 2006: FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究, 物理学报, 55(5): 2482-2487. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.061
引用本文: 张辉, 王宝义, 张仁刚, 张哲, 钱海杰, 苏润, 奎热西, 魏龙. 2006: FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究, 物理学报, 55(5): 2482-2487. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.061
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Zhang Hui, Wang Bao-Yi, Zhang Ren-Gang, Zhang Zhe, Qian Hai-Jie, Su Run, Kui Re-Xi, Wei Long. 2006: Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films, Acta Physica Sinica, 55(5): 2482-2487. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.061
Citation: Zhang Hui, Wang Bao-Yi, Zhang Ren-Gang, Zhang Zhe, Qian Hai-Jie, Su Run, Kui Re-Xi, Wei Long. 2006: Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films, Acta Physica Sinica, 55(5): 2482-2487. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.061
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FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

  • 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049

  • 中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京,100049

Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films

  • 摘要: 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-05-30

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

  • 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049
  • 中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京,100049

摘要: 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.

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