STM中量子点接触的电导计算

李钱光; 许海霞; 李翌; 李志扬

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.047

物理学报

STM中量子点接触的电导计算

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李钱光, 许海霞, 李翌, 李志扬. 2005: STM中量子点接触的电导计算, 物理学报, 54(11): 5251-5256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.047

引用本文:

李钱光, 许海霞, 李翌, 李志扬. 2005: STM中量子点接触的电导计算, 物理学报, 54(11): 5251-5256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.047

Li Qian-Guang, Xu Hai-Xia, Li Yi, Li Zhi-Yang. 2005: Calculation of conductance of quantum point contact in STM, Acta Physica Sinica, 54(11): 5251-5256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.047

Citation:

Li Qian-Guang, Xu Hai-Xia, Li Yi, Li Zhi-Yang. 2005: Calculation of conductance of quantum point contact in STM, Acta Physica Sinica, 54(11): 5251-5256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.047

STM中量子点接触的电导计算

华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079

Calculation of conductance of quantum point contact in STM

摘要: 采用模式匹配和散射矩阵方法,对扫描隧道显微镜(STM)中量子点接触过程中的电导进行了计算.结果表明由量子点接触形成的纳米结构的电导呈现量子化特征,这种量子化现象随所形成的纳米结构的横向尺寸和锥角的减小而增强.而且在半导体材料中比金属中更易观察到电导量子化现象.
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