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MgS晶体结构性质的密度泛函研究

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陈中钧, 肖海燕, 祖小涛. 2005: MgS晶体结构性质的密度泛函研究, 物理学报, 54(11): 5301-5307. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.055
引用本文: 陈中钧, 肖海燕, 祖小涛. 2005: MgS晶体结构性质的密度泛函研究, 物理学报, 54(11): 5301-5307. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.055
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Chen Zhong-Jun, Xiao Hai-Yan, Zu Xiao-Tao. 2005: Density functional theory investigation on structural properties of MgS crystal, Acta Physica Sinica, 54(11): 5301-5307. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.055
Citation: Chen Zhong-Jun, Xiao Hai-Yan, Zu Xiao-Tao. 2005: Density functional theory investigation on structural properties of MgS crystal, Acta Physica Sinica, 54(11): 5301-5307. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.055
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MgS晶体结构性质的密度泛函研究

  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054

  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110016

Density functional theory investigation on structural properties of MgS crystal

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-11-30

MgS晶体结构性质的密度泛函研究

  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054
  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110016

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度最窄,其值为0.42eV.在压力不超过200.3GPa时,B1构型的MgS晶胞是最稳定的,当压力大于该值时,会发生B1构型到B2构型的转化.

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