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低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

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徐耿钊, 梁琥, 白永强, 刘纪美, 朱星. 2005: 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究, 物理学报, 54(11): 5344-5349. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.062
引用本文: 徐耿钊, 梁琥, 白永强, 刘纪美, 朱星. 2005: 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究, 物理学报, 54(11): 5344-5349. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.062
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Xu Geng-Zhao, Liang Hu, Bai Yong-Qiang, Liu Kei-May, Zhu Xing. 2005: Study of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells using low temperature scanning near-field optical microscopy, Acta Physica Sinica, 54(11): 5344-5349. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.062
Citation: Xu Geng-Zhao, Liang Hu, Bai Yong-Qiang, Liu Kei-May, Zhu Xing. 2005: Study of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells using low temperature scanning near-field optical microscopy, Acta Physica Sinica, 54(11): 5344-5349. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.062
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低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

  • 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871

  • 香港科技大学电子工程系光子学技术中心,香港

Study of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells using low temperature scanning near-field optical microscopy

  • 摘要: 使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间跃迁形成.
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低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

  • 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 香港科技大学电子工程系光子学技术中心,香港

摘要: 使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间跃迁形成.

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