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掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究

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俞笑竹, 王婷婷, 叶超, 宁兆元. 2005: 掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究, 物理学报, 54(11): 5417-5421. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.075
引用本文: 俞笑竹, 王婷婷, 叶超, 宁兆元. 2005: 掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究, 物理学报, 54(11): 5417-5421. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.075
shu
Yu Xiao-Zhu, Wang Ting-Ting, Ye Chao, Ning Zhao-Yuan. 2005: Effect of CH4-doping on configuration and dielectric properties of SiCOH low-k films, Acta Physica Sinica, 54(11): 5417-5421. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.075
Citation: Yu Xiao-Zhu, Wang Ting-Ting, Ye Chao, Ning Zhao-Yuan. 2005: Effect of CH4-doping on configuration and dielectric properties of SiCOH low-k films, Acta Physica Sinica, 54(11): 5417-5421. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.075
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掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究

  • 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006

Effect of CH4-doping on configuration and dielectric properties of SiCOH low-k films

  • 摘要: 以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si-C键以及-OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-11-30

掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究

  • 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006

摘要: 以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si-C键以及-OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低.

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