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ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

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邵淑英, 范正修, 邵建达. 2005: ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响, 物理学报, 54(7): 3312-3316. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.059
引用本文: 邵淑英, 范正修, 邵建达. 2005: ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响, 物理学报, 54(7): 3312-3316. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.059
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Shao Shu-Ying, Fan Zheng-Xiu, Shao Jian-Da. 2005: Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers, Acta Physica Sinica, 54(7): 3312-3316. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.059
Citation: Shao Shu-Ying, Fan Zheng-Xiu, Shao Jian-Da. 2005: Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers, Acta Physica Sinica, 54(7): 3312-3316. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.059
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ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

  • 中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100864

  • 中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800

Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers

  • 摘要: ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-07-30

ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

  • 中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100864
  • 中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800

摘要: ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的.

English Abstract

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