PEN薄膜阻抗转变规律研究

郭峰; 蒋益明; 谢亨博; 万星拱; 胡敬平; 李劲

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.069

物理学报

PEN薄膜阻抗转变规律研究

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郭峰, 蒋益明, 谢亨博, 万星拱, 胡敬平, 李劲. 2005: PEN薄膜阻抗转变规律研究, 物理学报, 54(3): 1396-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.069

引用本文:

郭峰, 蒋益明, 谢亨博, 万星拱, 胡敬平, 李劲. 2005: PEN薄膜阻抗转变规律研究, 物理学报, 54(3): 1396-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.069

Guo Feng, JIANG Yi-ming, Xie Heng-Bo, Wan Xing-Gong, HU Jing-ping, Li Jin. 2005: Study on impedance transition of PEN thin film, Acta Physica Sinica, 54(3): 1396-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.069

Citation:

Guo Feng, JIANG Yi-ming, Xie Heng-Bo, Wan Xing-Gong, HU Jing-ping, Li Jin. 2005: Study on impedance transition of PEN thin film, Acta Physica Sinica, 54(3): 1396-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.069

PEN薄膜阻抗转变规律研究

复旦大学材料科学系,上海,200433

Study on impedance transition of PEN thin film

摘要: 采用真空蒸发的方法制备了PEN材料薄膜,研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性.发现薄膜从高阻向低阻转变过程所需时间随电流非线性下降,此期间薄膜阻抗也呈现非线性,并对非线性规律作了数据拟合.发现整个跃变过程中存在一种能量效应,即当外加电压超过某一阈值时,该跃迁所需的能量不变.
- PEN薄膜 /
- 非线性阻抗 /
- 电双稳