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介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

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李雪春, 王友年. 2004: 介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响, 物理学报, 53(8): 2666-2669. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.044
引用本文: 李雪春, 王友年. 2004: 介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响, 物理学报, 53(8): 2666-2669. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.044
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2004: Effects of charging at dielectric surfaces on the characteristics of the sheath for plasma immersion ion implantation, Acta Physica Sinica, 53(8): 2666-2669. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.044
Citation: 2004: Effects of charging at dielectric surfaces on the characteristics of the sheath for plasma immersion ion implantation, Acta Physica Sinica, 53(8): 2666-2669. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.044
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介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

  • 大连理工大学物理系,三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

Effects of charging at dielectric surfaces on the characteristics of the sheath for plasma immersion ion implantation

  • 摘要: 针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

  • 大连理工大学物理系,三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

摘要: 针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.

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