高级搜索

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

罗毅, 郭文平, 邵嘉平, 胡卉, 韩彦军, 薛松, 汪莱, 孙长征, 郝智彪. 2004: GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究, 物理学报, 53(8): 2720-2723. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.054
引用本文: 罗毅, 郭文平, 邵嘉平, 胡卉, 韩彦军, 薛松, 汪莱, 孙长征, 郝智彪. 2004: GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究, 物理学报, 53(8): 2720-2723. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.054
shu
2004: A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes, Acta Physica Sinica, 53(8): 2720-2723. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.054
Citation: 2004: A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes, Acta Physica Sinica, 53(8): 2720-2723. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.054
shu

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

  • 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084

A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes

  • 摘要: 尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25 nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0-120 mA的注入电流下,发光波长变化小于1 nm.在20 mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18 nm,且随注入电流变化较小.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1182
  • HTML全文浏览数:  230
  • PDF下载数:  251
  • 施引文献:  0
出版历程

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

  • 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084

摘要: 尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25 nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0-120 mA的注入电流下,发光波长变化小于1 nm.在20 mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18 nm,且随注入电流变化较小.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回