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微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强

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黄松, 辛煜, 宁兆元, 程珊华, 陆新华. 2002: 微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强, 物理学报, 51(11): 2635-2639. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.040
引用本文: 黄松, 辛煜, 宁兆元, 程珊华, 陆新华. 2002: 微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强, 物理学报, 51(11): 2635-2639. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.040
shu
2002: Enhancement of cross-linked structure for a-C∶F films caused by microwave input power, Acta Physica Sinica, 51(11): 2635-2639. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.040
Citation: 2002: Enhancement of cross-linked structure for a-C∶F films caused by microwave input power, Acta Physica Sinica, 51(11): 2635-2639. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.040
shu

微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强

  • 苏州大学物理系,苏州,215006

  • 苏州大学分析测试中心,苏州,215006

Enhancement of cross-linked structure for a-C∶F films caused by microwave input power

  • 摘要: 使用C2H2和CHF3的混合气体,在改变微波功率的条件下,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜(a-C∶F).薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明:薄膜中的CC与C-F键含量的比值随功率的增加而相应地增大;借助于紫外可见光谱分析发现,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小.由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构.a-C∶F薄膜的交流电导与x射线光电子能谱进一步证实了这种增强效应.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-11-30

微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强

  • 苏州大学物理系,苏州,215006
  • 苏州大学分析测试中心,苏州,215006

摘要: 使用C2H2和CHF3的混合气体,在改变微波功率的条件下,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜(a-C∶F).薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明:薄膜中的CC与C-F键含量的比值随功率的增加而相应地增大;借助于紫外可见光谱分析发现,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小.由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构.a-C∶F薄膜的交流电导与x射线光电子能谱进一步证实了这种增强效应.

English Abstract

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