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InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

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赵继刚, 邵彬, 王太宏. 2002: InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究, 物理学报, 51(6): 1355-1359. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.039
引用本文: 赵继刚, 邵彬, 王太宏. 2002: InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究, 物理学报, 51(6): 1355-1359. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.039
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2002: The electric properties of GaAs Schottky diode contining InAs self-assembled quantum dots, Acta Physica Sinica, 51(6): 1355-1359. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.039
Citation: 2002: The electric properties of GaAs Schottky diode contining InAs self-assembled quantum dots, Acta Physica Sinica, 51(6): 1355-1359. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.06.039
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InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

  • 中国科学院物理研究所,北京,100080;北京理工大学,北京,100081

  • 中国科学院物理研究所,北京,100080

The electric properties of GaAs Schottky diode contining InAs self-assembled quantum dots

  • 摘要: 分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-06-30

InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

  • 中国科学院物理研究所,北京,100080;北京理工大学,北京,100081
  • 中国科学院物理研究所,北京,100080

摘要: 分析研究了GaAs/InAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I-V曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象.

English Abstract

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