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快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

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卢励吾, 张砚华, 徐遵图, 徐仲英, 王占国, J.Wang, Weikun Ge. 2002: 快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响, 物理学报, 51(2): 367-371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.031
引用本文: 卢励吾, 张砚华, 徐遵图, 徐仲英, 王占国, J.Wang, Weikun Ge. 2002: 快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响, 物理学报, 51(2): 367-371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.031
shu
2002: Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs GaAs single quantum well laser diodes, Acta Physica Sinica, 51(2): 367-371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.031
Citation: 2002: Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs GaAs single quantum well laser diodes, Acta Physica Sinica, 51(2): 367-371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.031
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快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所光电子工程中心,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083；香港科技大学物理系,香港九龙清水湾香港科技大学物理系,香港九龙清水湾

  • 香港科技大学物理系，香港九龙清水湾

Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs GaAs single quantum well laser diodes

  • 摘要: 研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

快速热处理对应变InGaAs GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所光电子工程中心,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083；香港科技大学物理系,香港九龙清水湾香港科技大学物理系,香港九龙清水湾
  • 香港科技大学物理系，香港九龙清水湾

摘要: 研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.

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