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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

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卢励吾, 张砚华, J.Wang, Weikun Ge. 2002: 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别, 物理学报, 51(2): 372-376. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.032
引用本文: 卢励吾, 张砚华, J.Wang, Weikun Ge. 2002: 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别, 物理学报, 51(2): 372-376. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.032
shu
2002: Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE, Acta Physica Sinica, 51(2): 372-376. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.032
Citation: 2002: Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE, Acta Physica Sinica, 51(2): 372-376. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.032
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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083；香港科技大学物理系,香港九龙清水湾香港科技大学物理系,香港九龙清水湾

  • 香港科技大学物理系,香港九龙清水湾

Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE

  • 摘要: 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P|HEMT结构的n|AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到P|HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083；香港科技大学物理系,香港九龙清水湾香港科技大学物理系,香港九龙清水湾
  • 香港科技大学物理系,香港九龙清水湾

摘要: 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P|HEMT结构的n|AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到P|HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.

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