用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

牟维兵; 陈盘训

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.001

物理学报

用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

牟维兵, 陈盘训. 2001: 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数, 物理学报, 50(2): 189-192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.001

引用本文:

牟维兵, 陈盘训. 2001: 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数, 物理学报, 50(2): 189-192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.001

MU Wei-bing, CHEN PAN-XUN. 2001: MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE, Acta Physica Sinica, 50(2): 189-192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.001

Citation:

MU Wei-bing, CHEN PAN-XUN. 2001: MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE, Acta Physica Sinica, 50(2): 189-192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.001

用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数

中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所,
中国工程物理研究院电子工程研究所,

MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE

摘要: 当X射线射入不同材料组成的界面时，在低Z材料的一侧将产生剂量增强.介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用蒙特-卡洛程序计算了钨-硅、钽-硅、钨-二氧化硅和钽-二氧化硅界面的剂量增强系数.
- X射线 /
- 界面 /
- 辐射损伤 /
- 剂量增强系数
Abstract: The dose would be enhanced on the low-Z material side when X-ray enters the interface constructed with two different materials.The mechanism of dose enhancement has been discussed and the Dose Enhancement Factors of W-Si,W-SiO2,Ta-Si and Ta-SiO2 interfaces are calculated by the Monte-Carlo method.