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Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

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张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又. 2000: Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究, 物理学报, 49(1): 142-145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.030
引用本文: 张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又. 2000: Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究, 物理学报, 49(1): 142-145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.030
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ZHANG FA-PEI, GUO HONG-ZHI, XU PENG-SHOU, ZHU CHUAN-GANG, LU ER-DONG, ZHANG XIN-YI, LIANG REN-YOU. 2000: INTERFACE FORMATION BETWEEN Co WITH S-PASSIVATED GaAs(100), Acta Physica Sinica, 49(1): 142-145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.030
Citation: ZHANG FA-PEI, GUO HONG-ZHI, XU PENG-SHOU, ZHU CHUAN-GANG, LU ER-DONG, ZHANG XIN-YI, LIANG REN-YOU. 2000: INTERFACE FORMATION BETWEEN Co WITH S-PASSIVATED GaAs(100), Acta Physica Sinica, 49(1): 142-145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.030
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Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

  • 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026

INTERFACE FORMATION BETWEEN Co WITH S-PASSIVATED GaAs(100)

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出版历程
  • 刊出日期:  2000-01-30

Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026

摘要: 利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH3CSNH2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8 nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co-S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

English Abstract

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