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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

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苏雪琼, 王丽, 甘渝林, 李宬汉. 2014: 非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响, 强激光与粒子束, 26(12): 49-52. doi: 10.11884/HPLPB201426.121007
引用本文: 苏雪琼, 王丽, 甘渝林, 李宬汉. 2014: 非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响, 强激光与粒子束, 26(12): 49-52. doi: 10.11884/HPLPB201426.121007
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Su Xueqiong, Wang Li, Gan Yulin, Li Chenghan. 2014: Effect of chemical composition on transparency and mobility of amorphous InGaZnO thin film, High Power Lase and Particle Beams, 26(12): 49-52. doi: 10.11884/HPLPB201426.121007
Citation: Su Xueqiong, Wang Li, Gan Yulin, Li Chenghan. 2014: Effect of chemical composition on transparency and mobility of amorphous InGaZnO thin film, High Power Lase and Particle Beams, 26(12): 49-52. doi: 10.11884/HPLPB201426.121007
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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

  • 北京工业大学应用数理学院,北京,100124

Effect of chemical composition on transparency and mobility of amorphous InGaZnO thin film

  • 摘要: 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1 Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试.通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-12-30

非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

  • 北京工业大学应用数理学院,北京,100124

摘要: 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1 Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试.通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件.

English Abstract

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