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真空断路器作为新一代电力系统中涉及新材料、新结构、新机理和新制备技术的环境友好型开关电器装备,其服役状态是所在电力系统安全、稳定与可靠运行的关键。真空断路器在中压开关领域占有绝对优势,系统电压等级和容量的提高,对真空断路器故障开断性能和动静态绝缘能力提出了更高要求[1-2]。触头电极是形成极间真空金属蒸气电弧等离子体的源头,而且等离子体组氛与触头电极材料的组成与配比密切相关。
铜铬合金材料的出现提高了抗熔焊与介质恢复能力之间的平衡点。在真空断路器灭弧系统的应用中,铜铬合金材料具有导电率高、截流值低及机械强度高的特点,更易开断大电流且提高了耐受电压的能力。Cu组元熔点低、导电率和热导率高;Cr组元熔点较高,截流值较低,但机械强度高。近年来,国内外研究者针对铜铬合金触头电极材料配比性能影响方面开展了相关研究工作。对于Cu电极,主要通过光学发射光谱法[3-4]、静电探针法[5]和干涉测量法[6]实现真空电弧电子数密度测量;而对于Cu基电极和铜铬电极来说,可以通过激光诱导荧光光谱法[7]和激光吸收法[8]实现真空电弧金属蒸气密度的测定。刘志远等[9]对配用CuCr25、CuCr50、全武合金三种触头材料的真空断路器进行雷电冲击试验,分析了工频升压速度对触头材料绝缘特性的影响。修士新等[10]开展了真空断路器铜铬触头材料对其耐压性能和分断能力的影响研究。Rieder等[11]研究表明触头电极中Cr含量在25%~75%范围变化时,断路器平均截流值与触头中Cr含量无关,但触头本体电阻与表面接触电阻均随着Cr含量的上升而增加。汪丽丽等[12]研究表明随着Cr含量增加,铜铬致密度和电导率不断下降,布氏硬度及抗弯强度不断提高。
在真空断路器开断过程中等离子体物性参数计算方面,Liu等[13]以CuCr50触头电极真空断路器开关电弧为研究对象,建立了Eindhoven微观电弧模型,分析了真空电弧等离子体输运特性与粒子数密度。Jia等[14]建立了局部平衡态等离子体模型,研究了Cu基触头和不同气体介质等离子体物性参数分布变化。Wang等[15]基于最小吉布斯自由焓理论模型,得到了不同温度下SF6-PTFE-Cu气体混合物组成,当铜的摩尔分数超过10%时,热力学性质和输运系数将发生显著变化。金属蒸气等离子体组氛分析过程中,当处于局部热力学平衡态时,Potapov模型与Eindhoven模型计算结果误差较小;但当处于非局部热力学平衡态时,Potapov模型计算结果误差较大[16]。通过对CuCr50在局部热力学平衡态和非局部热力学平衡态粒子组氛计算与分析,发现非局部热力学平衡态更能真实反映真空介质金属蒸气等离子体的动力学行为[17]。
基于上述分析,本文从微观角度出发,以真空断路器CuCr25~CuCr75电极材料为研究对象,建立非局部热力学平衡态Eindhoven模型,求得铜铬合金不同配比、不同温度下等离子体组氛与输运参数,分析粒子数密度随温度变化规律,探究铜铬合金配比对开断性能的影响。
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为探究金属蒸气等离子体物性参数,从微观角度出发,提出如下分析路线:
Step1. 假设极间所有组氛均为气态;铜铬金属蒸气等离子体中各元素比例预先设定为常数;忽略痕量杂质组氛。
Step2. 采用Eindhoven模型,计算配分函数,求解铜铬合金触头电极不同配比下等离子体粒子组氛。
Step3. 采用统计热力学方法计算热力学参数,计算粒子碰撞积分。
Step4. 采用Chapman-Enskog方法,求解Boltzmann方程,求得铜铬合金不同配比、不同温度下电弧等离子体输运特性。
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Eindhoven模型基于电荷准中性条件、化学计量平衡条件、道尔顿分压定律和质量作用定律(电离反应程(Saha方程):Lr→Lr+1+e;解离方程(Guldberg-Waage方程)),描述如下:
式中,k,h和P分别为玻尔兹曼常数,普朗克常数和金属蒸气压;nr+1和nr分别为Lr+1,Lr的数密度;Zr+1和Zr分别为Lr+1,Lr的配分函数;me为电子质量;ne为电子数密度;EI为电离能;电离能下降值为
$\Delta E_{\mathrm{I}}=\dfrac{(r) e^2}{\left(4 \pi \varepsilon_0 \lambda_{\mathrm{D}}\right)}$ ;ε0为真空介电常数;$ \lambda_ {\text{D}} $ 为德拜长度;Lr带电荷数为r;粒子i带电荷数为zi;C为常数;T为介质温度。真空断路器在大电流故障开断过程中,金属蒸气电弧等离子体的发生、发展、逸散与熄弧全过程均伴随着复杂的物理化学过程;等离子体中包含大量的重粒子和电子;粒子碰撞过程中,因电子质量很小,使得电子温度Te远高于重粒子温度Th,即,金属蒸气电弧等离子体处于非平衡态。
定义:以θ=Te/Th定义非局部平衡系数,描述电弧等离子体偏离平衡态的程度,推得电离和解离方程。
解离方程:
电离方程:
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金属蒸气电弧等离子体热力学参数主要包括质量密度、比焓与比定压热容等。
质量密度:
式中,粒子种类数为l,粒子数密度与质量分别为ni和mi。
金属蒸气等离子体焓值:
式中,
$ {\overline H_{\text{i}}} $ 为粒子i摩尔焓。粒子摩尔焓由摩尔生成焓、平动摩尔焓与内部摩尔焓构成:
平动摩尔焓与粒子种类无关,各组氛平动摩尔焓相同,即:
式中,R为理想气体常数。
内部生成焓由粒子配分函数决定,即:
粒子摩尔生成焓是粒子的特性参数,可以从CRC手册与NIST-JANAF数据库中获得。
系统比焓:
式中,Mi为粒子i的摩尔质量。
比焓与比定压热容的微分关系:
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采用流体模型分析时,电子输运性质通常由Boltzmann方程来描述。
假设:两粒子碰撞前满足粒子混沌;粒子间相互作用分为中性粒子−中性粒子、离子−中性粒子、电子−中性粒子与带电粒子间相互碰撞四种类型。
利用Chapmann-Enskong方程将Boltzmann方程展开,可求得电导率输运系数。
电子扩散系数:
式中,e代表电子电荷;
$ \left| {\begin{array}{*{20}{c}} {{q^{11}}}&{{q^{12}}}&{{q^{13}}} \\ {{q^{21}}}&{{q^{22}}}&{{q^{23}}} \\ {{q^{31}}}&{{q^{32}}}&{{q^{33}}} \end{array}} \right| $ 是碰撞积分矩阵,$ \left| q \right| $ 为删去末行和末列的矩阵行列式。忽略重粒子影响的电导率:
Schellekens研究了真空灭弧室纵磁触头结构下金属蒸气等离子体热力学参数,温度为2000 K时,蒸气密度为0.39×1022 m−3[18];在相同温度下,采用本文模型求得蒸气密度为0.48×1022 m−3;验证了本文计算方法的有效性和可行性。
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以真空断路器开断故障电流所形成的金属蒸气等离子体为研究对象,考虑13种粒子:电子,Cr,Cu,Cu+,Cr+,Cu−,Cr−,Cu2+,Cr2+,Cu3+,Cr3+,Cu4+,Cr4+;忽略其他少量粒子。
假设:非平衡系数为1;金属蒸气压为1Torr,即133.32 Pa;基于等离子体微观粒子模型,自编程求解非线性方程组,得到CuCr25、CuCr50、CuCr75三种电极材料粒子数密度随温度的变化情况,如图1所示。
以CuCr50为例,分析如下:
(1) 电子数密度变化情况
2000 K时,电子数密度约为3.48×1015 m−3;6950 K时,电子数密度达最大值,约6.44×1020 m−3;随着温度升高,20000 K时,电子数密度逐渐降至2.42×1020 m−3。
(2) Cu−数密度与Cr−数密度变化情况
2000 K时,Cu−粒子数密度约为1.07×1013 m−3,Cr−粒子数密度约为2.96×1011 m−3;4700 K时,Cu−数密度达最大值,约1.32×1015 m−3;4550 K时,Cr−数密度达最大值,约1.51×1014 m−3。
随介质温度升高,Cu−、Cr−数密度减少,Cr−数密度一直小于Cu−数密度。这是由于Cr电子亲和势小于Cu电子亲和势,Cr比Cu更加难以获取电子。
(3) Cu和Cr粒子数密度变化情况
2000 K时,Cu和Cr粒子数密度呈减少趋势,Cr比Cu减少程度更为剧烈,这是由于Cu的一次电离势和二次电离势比Cr的一次电离势和二次电离势更大。
(4) Cu+和Cr+粒子数密度变化情况
6700~12950 K区间,Cu+粒子数密度达到最大值;5000~11000 K区间,Cr+粒子数密度达到最大值。在此区间内,Cu+和Cr+粒子数密度之所以变化不大是由于虽然有一部分电离成Cu2+、Cr2+,但Cu、Cr也在不断电离使得Cu+、Cr+的粒子数增加。大于12950 K时,Cu+数量快速下降;大于11000 K时,Cr+数量快速下降。
(5) Cu2+和Cr2+粒子数密度变化情况
2400 K时,Cr2+粒子数密度开始增加,15200 K时达到最大值,约2.09×1020 m−3;3000 K时,Cu2+粒子数密度开始增加;13150 K时达到最大值,约1.03×1020 m−3。
Cr2+在12550~14100 K,一直在1020数量级,这是由于一方面Cr−、Cr、Cr+不断吸收能量转化为Cr2+,另一方面Cr3+、Cr4+不断失去能量变为Cr2+,处于动态平衡。
(6) Cu3+和Cr3+粒子数密度变化情况
Cr3+粒子数密度在5700 K以上开始增加;Cu3+粒子数密度在6700 K以上开始增加。18450~20000 K时,Cr3+粒子数密度一直在1019数量级;19900~20000 K时,Cu3+粒子数密度一直在1019数量级。
(7) Cu4+和Cr4+粒子数密度变化情况
Cr4+粒子数密度在11450 K以上开始迅速增加;Cu4+粒子数密度在10000 K以上开始迅速增加。随着介质温度的增加,Cu4+和Cr4+粒子数密度增大率增大,随后占据主导地位。
θ为1.5时,不同电极材料的电子数密度随真空介质温度的变化情况如图2所示。以CuCr25为例,当介质温度为6800 K,电子数密度到达峰值,约5.48×1020 m−3;当介质温度由6800 K增至12200 K时,电子数密度下降至3.48×1020 m−3;当介质温度由12200 K增至14100 K时,电子数密度增加至3.80×1020 m−3;当介质温度由14100 K增至20000 K时,电子数密度下降至2.79×1020 m−3。当介质温度为3000~7000 K或10000~14000 K时,随着Cr含量的增加,电子数密度随之增加;而当介质温度小于3000 K或7000~10000 K或大于14000 K时,Cr含量对于电子数密度的影响较小。
电极材料为CuCr50,不同θ时,电子数密度随介质温度的变化情况如图3所示。随着θ增大,电子数密度随之减小;随着介质温度增加,θ对电子数密度的影响度值呈现先增大后减小的趋势。
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依据粒子组氛变化规律,基于热力学参数计算模型,求得θ为1.5时铜铬合金不同配比下混合金属蒸气等离子体热力学参数,如图4所示;不同θ时CuCr50金属蒸气电弧等离子体热力学参数,如图5所示。
由图4可知,比焓随Cr含量的增加而增加。当介质温度为2000~5650 K、8600~12300 K或16600~20000 K时,比定压热容随Cr含量的增加而增加;当介质温度为5650~8600 K或12300~16600 K时,比定压热容随Cr含量的增加而降低。
由图5可知,当介质温度为4100~6400 K、10800~11550 K、12650~14300 K、19500~20000 K时,比定压热容随θ的增加而增加;当介质温度为2000~4100 K、6400~10800 K、11550~12650 K、14300~19500 K时,比定压热容随θ的增加而降低。当介质温度为5000~7900 K、9500~13550 K、13700~16850 K时,比焓随θ的增加而增加;当介质温度为2000~5000 K、7900~9500 K、13550~13700 K、16850~20000 K时,比焓随θ的增加而降低。
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基于金属蒸气等离子体输运参数计算模型,求得θ为1.5时铜铬合金不同配比下等离子体电导率分布,如图6所示。当介质温度为10350~13900 K时,金属蒸气等离子体电导率随Cr含量的增加而增加;当介质温度为2000~10350 K、13900~20000 K时,Cr含量对金属蒸气等离子体电导率的影响较小。
不同θ时CuCr50金属蒸气等离子体电导率分布,如图7所示。当介质温度为2000~20000 K时,θ对金属蒸气等离子体电导率的影响较小。
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以真空断路器铜铬合金触头电极材料为研究对象,建立金属蒸气等离子体非局部热力学平衡模型,求得了粒子组氛与物性参数。
(1)当介质温度为2000~20000 K时,电子数密度随着θ的增大而减小。当介质温度为3000~7000 K、10000~14000 K时,电子数密度随Cr含量的增加而增加。
(2)比定压热容的峰值对应一次、二次和三次电离反应,比焓随Cr含量的增加而增加。
(3)当介质温度为10350~13900 K时,电导率随Cr含量的增加而减小。
真空断路器铜铬金属蒸气等离子体非局部热力学平衡态物性参数分析
Analysis of Physical Properties Parameters of CuCr Metal Vapor Plasma under Non-Local Thermodynamic Equilibrium State for Vacuum Circuit Breaker
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摘要: 真空断路器在大电流故障开断过程中,以真空为介质条件的灭弧系统内所产生的金属蒸气电弧等离子体组氛与电极材料特性密切相关。为了研究开断过程中金属蒸气等离子体物性参数的变化,以真空断路器CuCr25~CuCr75触头电极材料为研究对象,建立非局部热力学平衡模型,研究铜铬合金不同配比下金属蒸气等离子体粒子组氛分布。采用统计热力学方法求得等离子体热力学参数,分析不同合金配比下比焓和比定压热容分布;利用Chapman-Enskog法计算等离子体输运参数,探究铜铬合金材料配比对电导率的影响。Abstract: In the large current-breaking process of the DC vacuum circuit breaker, the metal vapor arc plasma generated in the vacuum interrupter is closely related to the material properties of the contact electrode. In order to study the variation of metal vapor plasma physical properties parameters in the process of breaking, the non-local thermodynamic equilibrium model of vacuum arc plasma was established to obtain the composition distribution of particles of metal vapor plasma of CuCr25~CuCr75 contact. Moreover, using the statistical thermodynamic method, the thermodynamic parameters of metal vapor plasma were calculated, and the distribution of specific enthalpy and isobaric specific heat capacity with different alloy ratios were illustrated. Furthermore, the Chapman-Enskog method was used to calculate the transport parameters to investigate the effect of alloy ratio on the conductivity.
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Key words:
- Vacuum circuit breaker /
- CuCr contact electrode /
- Conductivity .
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