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半导体物理效应及其应用讲座第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展

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褚君浩. 2005: 半导体物理效应及其应用讲座第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展, 物理, 34(11): 840-847. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.11.013
引用本文: 褚君浩. 2005: 半导体物理效应及其应用讲座第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展, 物理, 34(11): 840-847. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.11.013
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CHU Jun-Hao. 2005: Application of optical absorption transition effects and the development of semiconductor photo-electronic detectors, Physics, 34(11): 840-847. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.11.013
Citation: CHU Jun-Hao. 2005: Application of optical absorption transition effects and the development of semiconductor photo-electronic detectors, Physics, 34(11): 840-847. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.11.013
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半导体物理效应及其应用讲座第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

    • 通讯作者: 褚君浩

Application of optical absorption transition effects and the development of semiconductor photo-electronic detectors

    Corresponding author: CHU Jun-Hao

  • 摘要: 光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验.文章还介绍了本征光吸收系数的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-11-12

半导体物理效应及其应用讲座第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展

    通讯作者: 褚君浩
  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验.文章还介绍了本征光吸收系数的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用,以及它在解释近年来发现的HgCdTe光电二极管电致负荧光现象方面的应用.

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