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N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

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任红霞, 郝跃, 许冬岗. 2000: N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究, 物理学报, 49(7): 1241-1248. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.007
引用本文: 任红霞, 郝跃, 许冬岗. 2000: N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究, 物理学报, 49(7): 1241-1248. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.007
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Ren Hong-xia, Hao Yue, Xu Dong-gang. 2000: Study on Hot-Carrier-Effect for Grooved-Gate N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, Acta Physica Sinica, 49(7): 1241-1248. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.007
Citation: Ren Hong-xia, Hao Yue, Xu Dong-gang. 2000: Study on Hot-Carrier-Effect for Grooved-Gate N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, Acta Physica Sinica, 49(7): 1241-1248. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.007
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N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

Study on Hot-Carrier-Effect for Grooved-Gate N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor

  • 摘要: 用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤,并与相应常规平面器件进行了比较,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-07-30

N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

摘要: 用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤,并与相应常规平面器件进行了比较,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.

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