传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

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王印月, 甄聪棉, 龚恒翔, 阎志军, 王亚凡, 刘雪芹, 杨映虎, 何山虎. 2000: 传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率, 物理学报, 49(7): 1348-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.027
引用本文: 王印月, 甄聪棉, 龚恒翔, 阎志军, 王亚凡, 刘雪芹, 杨映虎, 何山虎. 2000: 传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率, 物理学报, 49(7): 1348-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.027
WANG YIN-YUE, ZHEN CONG-MIAN, GONG HENG-XIANG, YAN ZHI-JUN, WANG YA-FAN, LIU XUE-QIN, YANG YING-HU, HE SHAN-HU. 2000: MEASUREMENT OF THE SPECIFIC CONTACT RESISTANCE OF Au/Ti/p-DIAMOND USING TRANSMISSION LINE MODEL, Acta Physica Sinica, 49(7): 1348-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.027
Citation: WANG YIN-YUE, ZHEN CONG-MIAN, GONG HENG-XIANG, YAN ZHI-JUN, WANG YA-FAN, LIU XUE-QIN, YANG YING-HU, HE SHAN-HU. 2000: MEASUREMENT OF THE SPECIFIC CONTACT RESISTANCE OF Au/Ti/p-DIAMOND USING TRANSMISSION LINE MODEL, Acta Physica Sinica, 49(7): 1348-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.027

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

MEASUREMENT OF THE SPECIFIC CONTACT RESISTANCE OF Au/Ti/p-DIAMOND USING TRANSMISSION LINE MODEL

  • 摘要: 采用传输线模型测量了重B掺杂p型金刚石薄膜(约1020cm-3)上Ti/Au欧姆接触电阻率ρc,测试了500℃退火前后及大电流情况下的I-V特性,研究了退火对ρc的影响.结果表明,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段.ρc随测试温度的变化表明金属/半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透.而光照对ρc影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料.测试得到的最低ρc值约为10-4Ωcm2.
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出版历程

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

摘要: 采用传输线模型测量了重B掺杂p型金刚石薄膜(约1020cm-3)上Ti/Au欧姆接触电阻率ρc,测试了500℃退火前后及大电流情况下的I-V特性,研究了退火对ρc的影响.结果表明,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段.ρc随测试温度的变化表明金属/半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透.而光照对ρc影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料.测试得到的最低ρc值约为10-4Ωcm2.

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