第2系列ZrO2(Y2O<em>3</em>)薄膜的慢正电子研究

邹柳娟; 夏风; 邹道文; 翁惠民; 黄千峰; 周先意; 韩荣典

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.028

物理学报

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

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邹柳娟, 夏风, 邹道文, 翁惠民, 黄千峰, 周先意, 韩荣典. 2000: 第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究, 物理学报, 49(7): 1352-1355. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.028

引用本文:

ZOU LIU-JUAN, XIA FENG, ZOU DAO-WEN, WENG HUI-MIN, HUANG QIAN-FENG, ZHOU XIAN-YI, HAN RONG-DIAN. 2000: A STUDY OF NO.2 SERIES ZrO2(Y2O3) THIN FILM BY SLOW POSITRONS BEAM, Acta Physica Sinica, 49(7): 1352-1355. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.028

Citation:

ZOU LIU-JUAN, XIA FENG, ZOU DAO-WEN, WENG HUI-MIN, HUANG QIAN-FENG, ZHOU XIAN-YI, HAN RONG-DIAN. 2000: A STUDY OF NO.2 SERIES ZrO2(Y2O3) THIN FILM BY SLOW POSITRONS BEAM, Acta Physica Sinica, 49(7): 1352-1355. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.028

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

华中理工大学物理系,武汉,430074
江西师范大学物理系,南昌,330027
中国科学技术大学现代物理系,合肥,230026

A STUDY OF NO.2 SERIES ZrO2(Y2O3) THIN FILM BY SLOW POSITRONS BEAM

摘要: 用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热300℃,纯Ar气氛下制备的用Y2O3稳定的ZrO2薄膜材料(简称YSZ薄膜),发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响.简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的制备方法.
- 慢正电子束 /
- ZrO2(Y2O3)薄膜 /
- 表面缺陷