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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

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廖梅勇, 秦复光, 柴春林, 刘志凯, 杨少延, 姚振钰, 王占国. 2001: 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响, 物理学报, 50(7): 1324-1328. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.025
引用本文: 廖梅勇, 秦复光, 柴春林, 刘志凯, 杨少延, 姚振钰, 王占国. 2001: 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响, 物理学报, 50(7): 1324-1328. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.025
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2001: Influence of Ion Energy and Deposition Temperature on the Surface Morphology of Carbon Films Deposited by Ion Beans, Acta Physica Sinica, 50(7): 1324-1328. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.025
Citation: 2001: Influence of Ion Energy and Deposition Temperature on the Surface Morphology of Carbon Films Deposited by Ion Beans, Acta Physica Sinica, 50(7): 1324-1328. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.025
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离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室, 北京 100083

Influence of Ion Energy and Deposition Temperature on the Surface Morphology of Carbon Films Deposited by Ion Beans

  • 摘要: 利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙.沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管.用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-07-30

离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室, 北京 100083

摘要: 利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙.沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管.用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理.

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