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预注入对Si1-xCx合金形成的影响

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王引书, 李晋闽, 王衍斌, 王玉田, 孙国胜, 林兰英. 2001: 预注入对Si1-xCx合金形成的影响, 物理学报, 50(7): 1329-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.026
引用本文: 王引书, 李晋闽, 王衍斌, 王玉田, 孙国胜, 林兰英. 2001: 预注入对Si1-xCx合金形成的影响, 物理学报, 50(7): 1329-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.026
shu
2001: The Effects of Pre-Irradiation on the Formation of Si1-xCx Alloys, Acta Physica Sinica, 50(7): 1329-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.026
Citation: 2001: The Effects of Pre-Irradiation on the Formation of Si1-xCx Alloys, Acta Physica Sinica, 50(7): 1329-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.026
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预注入对Si1-xCx合金形成的影响

  • 北京师范大学物理系, 北京 100875

  • 中国科学院半导体研究所, 北京 100083

  • 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000

The Effects of Pre-Irradiation on the Formation of Si1-xCx Alloys

  • 摘要: 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成.随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si1-xCx合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略.退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-07-30

预注入对Si1-xCx合金形成的影响

  • 北京师范大学物理系, 北京 100875
  • 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
  • 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000

摘要: 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成.随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si1-xCx合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略.退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失.

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