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4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

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张洪涛, 徐重阳, 邹雪城, 王长安, 赵伯芳, 周雪梅, 曾祥斌. 2002: 4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究, 物理学报, 51(2): 304-309. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.019
引用本文: 张洪涛, 徐重阳, 邹雪城, 王长安, 赵伯芳, 周雪梅, 曾祥斌. 2002: 4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究, 物理学报, 51(2): 304-309. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.019
shu
2002: Study on the structural and optic-electronical properties of 4H polytype-SiC films, Acta Physica Sinica, 51(2): 304-309. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.019
Citation: 2002: Study on the structural and optic-electronical properties of 4H polytype-SiC films, Acta Physica Sinica, 51(2): 304-309. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.019
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4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

  • 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074；湖北工学院电气工程与计算机科学系,武汉,430068

  • 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074

Study on the structural and optic-electronical properties of 4H polytype-SiC films

  • 摘要: 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4H-SiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16nm,形状为微柱体.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强,电导率增加.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

  • 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074；湖北工学院电气工程与计算机科学系,武汉,430068
  • 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074

摘要: 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4H-SiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16nm,形状为微柱体.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强,电导率增加.

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