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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

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卢励吾, 王占国, C.L.Yang, J.Wang, Z.H.Ma, I.K.Sou, Weikun Ge. 2002: 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究, 物理学报, 51(2): 310-314. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.020
引用本文: 卢励吾, 王占国, C.L.Yang, J.Wang, Z.H.Ma, I.K.Sou, Weikun Ge. 2002: 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究, 物理学报, 51(2): 310-314. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.020
shu
2002: ptical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 51(2): 310-314. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.020
Citation: 2002: ptical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 51(2): 310-314. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.020
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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083

  • 香港科技大学物理系，香港九龙清水湾

ptical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy

  • 摘要: 分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

  • 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083
  • 香港科技大学物理系，香港九龙清水湾

摘要: 分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

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