高级搜索

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

何志巍, 甄聪棉, 兰伟, 王印月. 2003: 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜, 物理学报, 52(12): 3130-3134. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.034
引用本文: 何志巍, 甄聪棉, 兰伟, 王印月. 2003: 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜, 物理学报, 52(12): 3130-3134. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.034
shu
2003: Deposition of nanoporous silica thin films by sol-gel, Acta Physica Sinica, 52(12): 3130-3134. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.034
Citation: 2003: Deposition of nanoporous silica thin films by sol-gel, Acta Physica Sinica, 52(12): 3130-3134. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.034
shu

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

Deposition of nanoporous silica thin films by sol-gel

  • 摘要: 以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的-CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70-80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  636
  • HTML全文浏览数:  106
  • PDF下载数:  119
  • 施引文献:  0
出版历程

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

摘要: 以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的-CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70-80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回