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不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究

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王秀敏, 徐新龙, 杨玉萍, 施宇蕾, 李福利, 汪力, 张希成, Hyun-Shik Kang, Tae-Kyu Kim. 2004: 不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究, 物理学报, 53(4): 1003-1007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.007
引用本文: 王秀敏, 徐新龙, 杨玉萍, 施宇蕾, 李福利, 汪力, 张希成, Hyun-Shik Kang, Tae-Kyu Kim. 2004: 不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究, 物理学报, 53(4): 1003-1007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.007
shu
2004: Study of differently doped Zn0.95Cd0.05Te〈110〉single crystals as THz emitters, Acta Physica Sinica, 53(4): 1003-1007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.007
Citation: 2004: Study of differently doped Zn0.95Cd0.05Te〈110〉single crystals as THz emitters, Acta Physica Sinica, 53(4): 1003-1007. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.007
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不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究

  • 中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080;首都师范大学物理系,北京,100037

  • 中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080

  • 首都师范大学物理系,北京,100037

  • Center for Terahertz Research,Rensselaer Polytechnic Institute,Troy,NY 12180,USA

  • Department of Physics,College of Education,Chonbuk National University,Chonju,Korea

  • Department of Science Education,Chonju National University of Education,Chonju,Korea

Study of differently doped Zn0.95Cd0.05Te〈110〉single crystals as THz emitters

  • 摘要: 利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zno95Cd0.05Te<110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ＞102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ＞106Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变化对晶体的THz辐射性能也有重要的影响.因此,当ZnCdTe晶体用于THz辐射产生和探测时,仅仅用材料的Hall电阻率不能完全表征器件的性能.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-04-30

不同掺杂Zn0.95Cd0.05 Te〈110〉单晶的THz辐射特性研究

  • 中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080;首都师范大学物理系,北京,100037
  • 中国科学院物理研究所光物理实验室,北京,100080
  • 首都师范大学物理系,北京,100037
  • Center for Terahertz Research,Rensselaer Polytechnic Institute,Troy,NY 12180,USA
  • Department of Physics,College of Education,Chonbuk National University,Chonju,Korea
  • Department of Science Education,Chonju National University of Education,Chonju,Korea

摘要: 利用太赫兹(THz)时域光谱技术研究了不同掺杂的Zno95Cd0.05Te<110〉单晶产生THz辐射的特性.实验发现,当晶体的直流电阻率ρ＞102 Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率随着晶体电阻率的增加而增加,但当电阻率ρ＞106Ω·cm时,晶体产生THz辐射的效率出现饱和甚至可能下降.光谱测量结果表明,此类晶体在THz波段的透过率基本上取决于其低频电阻率,但除了晶体对THz辐射的吸收这一因素外,其色散性质的变化对晶体的THz辐射性能也有重要的影响.因此,当ZnCdTe晶体用于THz辐射产生和探测时,仅仅用材料的Hall电阻率不能完全表征器件的性能.

English Abstract

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