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In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

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张纪才, 王建峰, 王玉田, 杨辉. 2004: In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响, 物理学报, 53(8): 2467-2471. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.012
引用本文: 张纪才, 王建峰, 王玉田, 杨辉. 2004: In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响, 物理学报, 53(8): 2467-2471. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.012
shu
2004: Effect of the ratio of TMIn flow to group Ⅲ flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(8): 2467-2471. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.012
Citation: 2004: Effect of the ratio of TMIn flow to group Ⅲ flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(8): 2467-2471. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.012
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In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;武汉大学物理系,武汉,430072

Effect of the ratio of TMIn flow to group Ⅲ flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells

  • 摘要: 利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;武汉大学物理系,武汉,430072

摘要: 利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.

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