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利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结

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由臣, 赵燕平, 金恩姬, 李飞飞, 王天兴, 曾中明, 彭子龙. 2004: 利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结, 物理学报, 53(8): 2741-2745. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.058
引用本文: 由臣, 赵燕平, 金恩姬, 李飞飞, 王天兴, 曾中明, 彭子龙. 2004: 利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结, 物理学报, 53(8): 2741-2745. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.058
shu
2004: Fabrication of pinned magnetic tunnel junctions using a contact shadow mask method, Acta Physica Sinica, 53(8): 2741-2745. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.058
Citation: 2004: Fabrication of pinned magnetic tunnel junctions using a contact shadow mask method, Acta Physica Sinica, 53(8): 2741-2745. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.058
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利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结

  • 天津理工学院材料科学与工程系,天津,300191

  • 北京石油化工学院数理部,北京,102617

  • 中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100080

Fabrication of pinned magnetic tunnel junctions using a contact shadow mask method

  • 摘要: 利用金属掩模法和Ir22Mn78合金反铁磁钉扎层,制备了四种钉扎型的Py/Al2O3/Py,Py/Al2O3/Co,Co/Al2O3/Py和Co/Al2O3/Co磁性隧道结,坡莫合金的成分为Py=Ni79Fe21.例如:利用狭缝宽度为100μm的金属掩模,直接制备出室温隧穿磁电阻比值为17.2%的磁性隧道结Co/Al2O3/Co,其结电阻为76 Ω,结电阻和结面积的积矢为76×104Ωμm2,自由层的偏转场为1114 A/m,并且在外加磁场0-1114 A·m-1之间时室温磁电阻比值从零跳跃增加到17.2%,磁场灵敏度达到0.1%/(103 A·m-1).钉扎型Co/Al2O3/Py的隧穿磁电阻实验曲线具有较好的方形度.结果表明,这种利用金属掩模法制备的钉扎型磁性隧道结亦可用于制备磁随机存储器等原型演示器件或其他种类原型磁敏传感器件.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结

  • 天津理工学院材料科学与工程系,天津,300191
  • 北京石油化工学院数理部,北京,102617
  • 中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100080

摘要: 利用金属掩模法和Ir22Mn78合金反铁磁钉扎层,制备了四种钉扎型的Py/Al2O3/Py,Py/Al2O3/Co,Co/Al2O3/Py和Co/Al2O3/Co磁性隧道结,坡莫合金的成分为Py=Ni79Fe21.例如:利用狭缝宽度为100μm的金属掩模,直接制备出室温隧穿磁电阻比值为17.2%的磁性隧道结Co/Al2O3/Co,其结电阻为76 Ω,结电阻和结面积的积矢为76×104Ωμm2,自由层的偏转场为1114 A/m,并且在外加磁场0-1114 A·m-1之间时室温磁电阻比值从零跳跃增加到17.2%,磁场灵敏度达到0.1%/(103 A·m-1).钉扎型Co/Al2O3/Py的隧穿磁电阻实验曲线具有较好的方形度.结果表明,这种利用金属掩模法制备的钉扎型磁性隧道结亦可用于制备磁随机存储器等原型演示器件或其他种类原型磁敏传感器件.

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