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原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

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马忠元, 黄信凡, 朱达, 李伟, 陈坤基, 冯端. 2004: 原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究, 物理学报, 53(8): 2746-2750. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.059
引用本文: 马忠元, 黄信凡, 朱达, 李伟, 陈坤基, 冯端. 2004: 原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究, 物理学报, 53(8): 2746-2750. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.059
shu
2004: Photoluminescence from a-Si:H/SiO2 multilayers fabricated using in situ layer by layer plasma oxidation, Acta Physica Sinica, 53(8): 2746-2750. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.059
Citation: 2004: Photoluminescence from a-Si:H/SiO2 multilayers fabricated using in situ layer by layer plasma oxidation, Acta Physica Sinica, 53(8): 2746-2750. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.059
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原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

  • 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

Photoluminescence from a-Si:H/SiO2 multilayers fabricated using in situ layer by layer plasma oxidation

  • 摘要: 采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度,首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435 nm的蓝移.x射线能谱证明,SiO2层是化学配比的SiO2;C-V特性表明,a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化;透射电子显微镜表明,样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究,对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释,认为蓝光发射可能来自a-Si:H层带尾态中的电子和空穴的复合.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

  • 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

摘要: 采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度,首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435 nm的蓝移.x射线能谱证明,SiO2层是化学配比的SiO2;C-V特性表明,a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化;透射电子显微镜表明,样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究,对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释,认为蓝光发射可能来自a-Si:H层带尾态中的电子和空穴的复合.

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