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AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究

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周春红, 郑有炓, 邓咏桢, 孔月婵, 陈鹏, 席冬娟, 顾书林, 沈波, 张荣, 江若琏, 韩平, 施毅. 2004: AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究, 物理学报, 53(11): 3888-3894. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.050
引用本文: 周春红, 郑有炓, 邓咏桢, 孔月婵, 陈鹏, 席冬娟, 顾书林, 沈波, 张荣, 江若琏, 韩平, 施毅. 2004: AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究, 物理学报, 53(11): 3888-3894. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.050
shu
2004: Study of interface trap states of AIN-Si(111) heterostructure, Acta Physica Sinica, 53(11): 3888-3894. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.050
Citation: 2004: Study of interface trap states of AIN-Si(111) heterostructure, Acta Physica Sinica, 53(11): 3888-3894. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.050
shu

AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究

  • 南京大学江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,物理系,南京,210093

Study of interface trap states of AIN-Si(111) heterostructure

  • 摘要: 利用Al-AlN-Si(111)MIS结构电容-频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN-Si异质结构中的电荷陷阱态.揭示了AlN-Si异质结构界面电荷陷阱态以及AIN层中的分立陷阱中心.结果指出:AIN层中存在Et-Ev=2.55eV的分立陷阱中心;AlN-Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布,带中央态密度最低,Nss为8×1011eV-1cm-2,对应的时间常数τ为8×10-4s,俘获截面σn为1.58×10-14cm2;在AlN界面层存在三种陷阱态,导致Al-AlN-Si异质结构积累区电容的频散.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-30

AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究

  • 南京大学江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,物理系,南京,210093

摘要: 利用Al-AlN-Si(111)MIS结构电容-频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN-Si异质结构中的电荷陷阱态.揭示了AlN-Si异质结构界面电荷陷阱态以及AIN层中的分立陷阱中心.结果指出:AIN层中存在Et-Ev=2.55eV的分立陷阱中心;AlN-Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布,带中央态密度最低,Nss为8×1011eV-1cm-2,对应的时间常数τ为8×10-4s,俘获截面σn为1.58×10-14cm2;在AlN界面层存在三种陷阱态,导致Al-AlN-Si异质结构积累区电容的频散.

English Abstract

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