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4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

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王天兴, 魏红祥, 李飞飞, 张爱国, 曾中明, 詹文山, 韩秀峰. 2004: 4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备, 物理学报, 53(11): 3895-3901. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.051
引用本文: 王天兴, 魏红祥, 李飞飞, 张爱国, 曾中明, 詹文山, 韩秀峰. 2004: 4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备, 物理学报, 53(11): 3895-3901. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.051
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2004: Microfabrication of magnetic tunnel junctions on 4-inch Si/SiO2 substrate, Acta Physica Sinica, 53(11): 3895-3901. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.051
Citation: 2004: Microfabrication of magnetic tunnel junctions on 4-inch Si/SiO2 substrate, Acta Physica Sinica, 53(11): 3895-3901. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.051
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4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

  • 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室,北京,100080

Microfabrication of magnetic tunnel junctions on 4-inch Si/SiO2 substrate

  • 摘要: 就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在10%以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7%以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.
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出版历程

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

  • 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室,北京,100080

摘要: 就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在10%以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7%以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.

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