离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

张东平; 齐红基; 邵建达; 范瑞瑛; 范正修

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

物理学报

离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

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张东平, 齐红基, 邵建达, 范瑞瑛, 范正修. 2005: 离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理, 物理学报, 54(3): 1385-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

引用本文:

张东平, 齐红基, 邵建达, 范瑞瑛, 范正修. 2005: 离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理, 物理学报, 54(3): 1385-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

ZHANG Dong-ping, Qi Hong-Ji, Shao Jian-Da, FAN Rui-ying, Fan Zheng-Xiu. 2005: Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films, Acta Physica Sinica, 54(3): 1385-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

Citation:

ZHANG Dong-ping, Qi Hong-Ji, Shao Jian-Da, FAN Rui-ying, Fan Zheng-Xiu. 2005: Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films, Acta Physica Sinica, 54(3): 1385-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.067

离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100864
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

Mechanism of nodule growth in ion beam sputtering films

摘要: 用离子束溅射法制备了锆单层薄膜.用设计新型夹具和预置种子方法,对薄膜中结瘤微缺陷的生长过程进行了研究.在高分辨率光学显微镜和扫描电子显微镜下观察发现,结瘤在其生长初期呈现出分形的特征.用分子动力学和薄膜生长的扩散限制聚集模型,薄膜中结瘤微缺陷成核时的分形现象得到了很好的解释.
- 结瘤微缺陷 /
- 锆薄膜 /
- 扩散限制聚集模型