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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

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王宝义, 张仁刚, 张辉, 万冬云, 魏龙. 2005: ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响, 物理学报, 54(4): 1874-1878. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.073
引用本文: 王宝义, 张仁刚, 张辉, 万冬云, 魏龙. 2005: ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响, 物理学报, 54(4): 1874-1878. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.073
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WANG Bao-yi, ZHANG Ren-gang, Zhang Hui, WAN Dong-yun, Wei Long. 2005: Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films, Acta Physica Sinica, 54(4): 1874-1878. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.073
Citation: WANG Bao-yi, ZHANG Ren-gang, Zhang Hui, WAN Dong-yun, Wei Long. 2005: Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films, Acta Physica Sinica, 54(4): 1874-1878. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.073
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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100049

Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films

  • 摘要: 采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV-VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件.真空和纯O2中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS.而在空气和纯N2中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS,在可见光范围内的光透过率可达约80％,禁带宽度分别为3.66和3.61 eV.ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-30

ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100049

摘要: 采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV-VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件.真空和纯O2中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS.而在空气和纯N2中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS,在可见光范围内的光透过率可达约80％,禁带宽度分别为3.66和3.61 eV.ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因.

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