高级搜索

CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究

,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

李卫, 冯良桓, 武莉莉, 蔡亚平, 张静全, 郑家贵, 蔡伟, 黎兵, 雷智, 张冬敏. 2005: CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究, 物理学报, 54(4): 1879-1884. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.074
引用本文: 李卫, 冯良桓, 武莉莉, 蔡亚平, 张静全, 郑家贵, 蔡伟, 黎兵, 雷智, 张冬敏. 2005: CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究, 物理学报, 54(4): 1879-1884. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.074
shu
Li Wei, FENG Liang-Huan, Wu Li-Li, CAI Ya-Ping, Zhang Jing-Quan, ZHENG Jia-Gui, Cai Wei, Li Bing, Lei Zhi, ZHANG Dong-min. 2005: Preparation and properties of polycrystalline CdSxTe1-x thin films for solar cells, Acta Physica Sinica, 54(4): 1879-1884. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.074
Citation: Li Wei, FENG Liang-Huan, Wu Li-Li, CAI Ya-Ping, Zhang Jing-Quan, ZHENG Jia-Gui, Cai Wei, Li Bing, Lei Zhi, ZHANG Dong-min. 2005: Preparation and properties of polycrystalline CdSxTe1-x thin films for solar cells, Acta Physica Sinica, 54(4): 1879-1884. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.074
shu

CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究

  • 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

Preparation and properties of polycrystalline CdSxTe1-x thin films for solar cells

  • 摘要: 采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1-x多晶薄膜,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1-x多晶薄膜的结构和性质.结果表明:薄膜均匀、致密、无微孔,当x≥0.5时为n型半导体,x＜0.5时为p型半导体.CdSxTe1-x多晶薄膜的光学能隙随x变化.结合薄膜的晶格常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分,当x＜0.25时CdSxTe1-x多晶薄膜为立方相,当x＞0.25时为六方结构.退火后结构没有改变,能隙减小.提出了用CdSxTe1-x多晶薄膜作为缓冲层的新型结构太阳电池.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  402
  • HTML全文浏览数:  35
  • PDF下载数:  12
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-30

CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究

  • 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

摘要: 采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1-x多晶薄膜,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1-x多晶薄膜的结构和性质.结果表明:薄膜均匀、致密、无微孔,当x≥0.5时为n型半导体,x＜0.5时为p型半导体.CdSxTe1-x多晶薄膜的光学能隙随x变化.结合薄膜的晶格常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分,当x＜0.25时CdSxTe1-x多晶薄膜为立方相,当x＞0.25时为六方结构.退火后结构没有改变,能隙减小.提出了用CdSxTe1-x多晶薄膜作为缓冲层的新型结构太阳电池.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回