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利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

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周炳卿, 刘丰珍, 朱美芳, 谷锦华, 周玉琴, 刘金龙, 董宝中, 李国华, 丁琨. 2005: 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构, 物理学报, 54(5): 2172-2175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.038
引用本文: 周炳卿, 刘丰珍, 朱美芳, 谷锦华, 周玉琴, 刘金龙, 董宝中, 李国华, 丁琨. 2005: 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构, 物理学报, 54(5): 2172-2175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.038
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Zhou Bing-Qing, Liu Feng-Zhen, Zhu Mei-Fang, Gu Jin-Hua, Zhou Yu-Qin, Liu Jin-Long, Dong Bao-Zhong, Li Guo-Hua, Ding Kun. 2005: The microstructure of hydrogenated microcrystalline silicon thin films studied by small-angle x-ray scattering, Acta Physica Sinica, 54(5): 2172-2175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.038
Citation: Zhou Bing-Qing, Liu Feng-Zhen, Zhu Mei-Fang, Gu Jin-Hua, Zhou Yu-Qin, Liu Jin-Long, Dong Bao-Zhong, Li Guo-Hua, Ding Kun. 2005: The microstructure of hydrogenated microcrystalline silicon thin films studied by small-angle x-ray scattering, Acta Physica Sinica, 54(5): 2172-2175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.038
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利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

  • 中国科学院研究生院物理系,北京,100039;内蒙古师范大学物理系,呼和浩特,010022

  • 中国科学院研究生院物理系,北京,100039

  • 中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京,100039

  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083

The microstructure of hydrogenated microcrystalline silicon thin films studied by small-angle x-ray scattering

  • 摘要: 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-30

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

  • 中国科学院研究生院物理系,北京,100039;内蒙古师范大学物理系,呼和浩特,010022
  • 中国科学院研究生院物理系,北京,100039
  • 中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京,100039
  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083

摘要: 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.

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