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Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

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姚炜, 仇志军, 桂永胜, 郑泽伟, 吕捷, 唐宁, 沈波, 褚君浩. 2005: Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象, 物理学报, 54(5): 2247-2251. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.051
引用本文: 姚炜, 仇志军, 桂永胜, 郑泽伟, 吕捷, 唐宁, 沈波, 褚君浩. 2005: Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象, 物理学报, 54(5): 2247-2251. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.051
shu
Yao Wei, Qiu Zhi-Jun, Gui Yong-Sheng, Zheng Ze-Wei, Lü Jie, Tang Ning, Shen Bo, Chu Jun-Hao. 2005: Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure, Acta Physica Sinica, 54(5): 2247-2251. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.051
Citation: Yao Wei, Qiu Zhi-Jun, Gui Yong-Sheng, Zheng Ze-Wei, Lü Jie, Tang Ning, Shen Bo, Chu Jun-Hao. 2005: Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure, Acta Physica Sinica, 54(5): 2247-2251. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.051
shu

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 南京大学物理系,南京,210093

Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure

  • 摘要: 在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-30

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 南京大学物理系,南京,210093

摘要: 在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.

English Abstract

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