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掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

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黄伟, 张利春, 高玉芝, 金海岩. 2005: 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善, 物理学报, 54(5): 2252-2255. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052
引用本文: 黄伟, 张利春, 高玉芝, 金海岩. 2005: 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善, 物理学报, 54(5): 2252-2255. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052
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Huang Wei, Zhang Li-Chun, Gao Yu-Zhi, Jin Hai-Yan. 2005: The improvement of thermal stability in NiSi film by adding Mo, Acta Physica Sinica, 54(5): 2252-2255. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052
Citation: Huang Wei, Zhang Li-Chun, Gao Yu-Zhi, Jin Hai-Yan. 2005: The improvement of thermal stability in NiSi film by adding Mo, Acta Physica Sinica, 54(5): 2252-2255. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052
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掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

  • 北京大学微电子研究院,北京,100871

The improvement of thermal stability in NiSi film by adding Mo

  • 摘要: 报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650-800℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64-0.66eV,理想因子接近于1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-30

掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

  • 北京大学微电子研究院,北京,100871

摘要: 报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650-800℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64-0.66eV,理想因子接近于1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.

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