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FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

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杨帅, 李养贤, 马巧云, 徐学文, 牛萍娟, 李永章, 牛胜利, 李洪涛. 2005: FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2, 物理学报, 54(5): 2256-2260. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.053
引用本文: 杨帅, 李养贤, 马巧云, 徐学文, 牛萍娟, 李永章, 牛胜利, 李洪涛. 2005: FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2, 物理学报, 54(5): 2256-2260. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.053
shu
Yang Shuai, Li Yang-Xian, Ma Qiao-Yun, Xu Xue-Wen, Niu Ping-Juan, Li Yong-Zhang, Niu Sheng-Li, Li Hong-Tao. 2005: FTIR study an VO2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon, Acta Physica Sinica, 54(5): 2256-2260. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.053
Citation: Yang Shuai, Li Yang-Xian, Ma Qiao-Yun, Xu Xue-Wen, Niu Ping-Juan, Li Yong-Zhang, Niu Sheng-Li, Li Hong-Tao. 2005: FTIR study an VO2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon, Acta Physica Sinica, 54(5): 2256-2260. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.053
shu

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

  • 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130

  • 天津工业大学信息与通信学院,天津,300160

  • 中国原子能科学研究院,北京,102413

FTIR study an VO2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon

  • 摘要: 快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm-1和1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1,出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-30

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

  • 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130
  • 天津工业大学信息与通信学院,天津,300160
  • 中国原子能科学研究院,北京,102413

摘要: 快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm-1和1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1,出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制.

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