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HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

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孙涛, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 2005: HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究, 物理学报, 54(7): 3357-3362. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.068
引用本文: 孙涛, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 2005: HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究, 物理学报, 54(7): 3357-3362. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.068
shu
Sun Tao, CHEN Xing-guo, HU Xiao-Ning, LI Yan-Jin. 2005: Analysis of surface leakage and 1/f noise on long-wavelength infrared HgCdTe photodiodes, Acta Physica Sinica, 54(7): 3357-3362. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.068
Citation: Sun Tao, CHEN Xing-guo, HU Xiao-Ning, LI Yan-Jin. 2005: Analysis of surface leakage and 1/f noise on long-wavelength infrared HgCdTe photodiodes, Acta Physica Sinica, 54(7): 3357-3362. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.068
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HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

  • 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心,上海,200083

Analysis of surface leakage and 1/f noise on long-wavelength infrared HgCdTe photodiodes

  • 摘要: 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1/f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1/f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocalspace mapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1/f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1/f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1/f噪声电流增加的原因.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-07-30

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

  • 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心,上海,200083

摘要: 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1/f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1/f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocalspace mapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1/f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1/f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1/f噪声电流增加的原因.

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