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金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

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孟志国, 吴春亚, 李娟, 熊绍珍, 郭海成, 王文. 2005: 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究, 物理学报, 54(7): 3363-3369. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.069
引用本文: 孟志国, 吴春亚, 李娟, 熊绍珍, 郭海成, 王文. 2005: 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究, 物理学报, 54(7): 3363-3369. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.069
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MENG Zhi-guo, WU Chun-ya, Li Juan, XIONG Shao-zhen, Hoi S.Kwok, Man Wong. 2005: Low-temperature metal-induced unilateral crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor and gate-modulated lightly-doped drain structure, Acta Physica Sinica, 54(7): 3363-3369. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.069
Citation: MENG Zhi-guo, WU Chun-ya, Li Juan, XIONG Shao-zhen, Hoi S.Kwok, Man Wong. 2005: Low-temperature metal-induced unilateral crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor and gate-modulated lightly-doped drain structure, Acta Physica Sinica, 54(7): 3363-3369. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.069
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金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

  • 南开大学信息学院光电子器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)天津,300071

  • 香港科技大学电机电子工程系,香港九龙清水弯

Low-temperature metal-induced unilateral crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor and gate-modulated lightly-doped drain structure

  • 摘要: 提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC plly-Si TFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT-MIUCpoly-Si TFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-07-30

金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

  • 南开大学信息学院光电子器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)天津,300071
  • 香港科技大学电机电子工程系,香港九龙清水弯

摘要: 提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC plly-Si TFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT-MIUCpoly-Si TFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.

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