高级搜索

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

徐章程, 贾国治, 孙亮, 姚江宏, 许京军, J. M. Hvam, 王占国. 2005: 亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱, 物理学报, 54(11): 5367-5371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.066
引用本文: 徐章程, 贾国治, 孙亮, 姚江宏, 许京军, J. M. Hvam, 王占国. 2005: 亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱, 物理学报, 54(11): 5367-5371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.066
shu
Xu Zhang-Cheng, Jia Guo-Zhi, Sun Liang, Yao Jiang-Hong, Xu Jing-Jun, J. M. Hvam, Wang Zhan-Guo. 2005: Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures, Acta Physica Sinica, 54(11): 5367-5371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.066
Citation: Xu Zhang-Cheng, Jia Guo-Zhi, Sun Liang, Yao Jiang-Hong, Xu Jing-Jun, J. M. Hvam, Wang Zhan-Guo. 2005: Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures, Acta Physica Sinica, 54(11): 5367-5371. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.066
shu

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457;丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦

  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457

  • 丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦

  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures

  • 摘要: 测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为35ps,纵光学声子发射为主要的载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  687
  • HTML全文浏览数:  166
  • PDF下载数:  31
  • 施引文献:  0
出版历程

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457;丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦
  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457
  • 丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦
  • 弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院,天津,300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

摘要: 测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为35ps,纵光学声子发射为主要的载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回